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他们研发的二维半导体准非易失存储原型器件金莎娱乐官网最全网站,目前半导体电荷存储技术主要有两类

团队发现,利用二维半导体实现新型结构存储,在集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器方面潜力巨大。中国学者研发的准非易失性存储器未来将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多个领域发挥重要作用。

二维材料发轫于石墨烯的发现,在平面内存在强有力的化学键键合,而层与层之间则依靠分子间作用力堆叠在一起。因此,二维材料可以获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体。同时它是一个兼有导体、半导体和绝缘体的完整体系。这对集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器都有着巨大潜力,是降低存储器功耗和提高集成度的崭新途径。基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成,将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。

国际半导体电荷存储技术中,“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院获悉,该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件,开创了第三类存储技术,不仅可以实现“内存级”的数据读写速度,还可以按需定制存储器的数据存储周期。

研究人员告诉记者,此次研发的新型电荷存储技术,既满足了10纳秒写入数据速度,又实现了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中极大降低存储功耗,同时还可实现数据有效期截止后自然消失。在特殊应用场景中,这样的技术解决了保密性和传输的矛盾。

近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快1万倍,数据存储时间可以自行决定,到了有效期后即自动消失。这项技术解决了国际半导体电荷存储技术写入速度与非易失性难以兼得的难题。

此次研发的第三代电荷存储技术,写入速度比目前U盘快1万倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。这种全新特性不仅可以极大降低高速内存的存储功耗,同时还可以实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队率先成功开创第三类存储技术。他们研发的二维半导体准非易失存储原型器件,解决了以往国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

这项研究创新性地选择了多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管:二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪分别用于开关电荷输运和储存,氮化硼作为隧穿层,制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。周鹏介绍,这几种二维材料将充分发挥二维材料的丰富能带特性。一部分如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一部分则像一面密不透风的墙,电子难以进出。对写入速度与非易失性的调控,就在于这两部分的比例。

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